삼성전자, 3비트(bit) 3차원 V낸드플래시 메모리 세계 첫 양산 돌입


플래시메모리의 미래로 불리는 3차원 V낸드플래시 메모리, 이번에는 삼성전자가 세계 최초로 '3비트(bit) 3차원 V낸드플래시 메모리' 양산을 본격 시작했습니다. 날이 갈수록 혁신에 혁신을 거듭하는 삼성전자의 V낸드플래시 메모리 소식을 지금 바로 소개합니다!

 

 

세계 최초 3비트 V낸드 양산으로 플래시메모리 시장을 선도하는 삼성전자

 

삼성전자가 본격적인 양산을 시작한 '3비트(bit) 3차원 V낸드플래시 메모리란 올해 5월 세계 최초로 양산 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) 제품입니다.


※ 3비트 기술(3bit Multi Level Cell) : 낸드플래시의 셀(Cell) 하나에 저장되는 데이터(bit) 수를 기존 1∼2개에서 3개로 늘린 것이다.




현재 V낸드 공정은 업계에서 삼성전자만이 유일하게 양산하고 있는데요. 이번에 3비트 기술을 새롭게 접목한 '3비트 V낸드'의 양산으로 플래시 메모리 시장에서의 우위를 다시 한 번 확인하게 된 삼성전자입니!


3비트 V낸드플래시 메모리삼성전자의 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash)셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정을 기반으로 하는데요. 기존의 셀 하나에 저장되는 데이 수를 2개에서 3개로 확장시켜 셀 저장 용량을 1.5배 늘렸습니다. 그 결과 10나노급 평면구조 낸드플래시 제품과 비교하여 2배 이상의 생산성을 자랑한다고 합니다.


※ 3차원 CTF(3D Charge Trap Flash) 구조 : 셀(Cell) 안에 전하를 저장하는 공간인 플로팅게이트를 부도체로 대체한 후, 구조를 3차원으로 개량하여 수직 적층을 용이하게 하는 기술이다.

 

 

차세대 V낸드 기술의 진화를 이끌다

 

작년 8월에 양상된 '1세대(24단)', 그리고 올해 5월 '2세대(32단)' V낸드에 이어 2세대 기반 3비트 V낸드 양산 체제를 갖춘 삼성전자는 계속해서 차세대 V낸드 기술 진화를 이끌고 있다는 평을 받고 있습니다. 

 

삼성전자는 지난 2012년 3비트 평면구조 낸드 기반의 SSD를 최초로 양산하여 3비트 플래시메모리 시장을 선점하였었는데요. 이번 3비트 V낸드 양산을 통해 낸드플래시 시장에서의 입지를 더욱 확대시킬 것으로 기대되고 있습니다. 

 

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 전무는 "3비트 V낸드는 기존의 HDD에서 SSD로의 시장 전환 추세를 더욱 가속화 할 것"이라고 예상하며 "향후 3비트 V낸드 기반 고용량 SSD 출시하며 SSD 사업에서의 높은 성장세를 이어 갈 것"이라고 강조했습니다.  

 

이처럼 삼성전자는 3비트 V낸드의 본격 양산을 통해 기존의 고신뢰성 서버향 SSD 뿐만 아니 보급형 PC향 SSD까지 SSD 라인업을 대폭 확대하여 V낸드플래시 메모리 글로벌 시장을 확대해 나갈 계획입니다. 계속해서 놀라운 진화를 하고 있는 삼성전자 V낸드 플래시메모리에 여러분의 많은 관심과 응원을 부탁 드립니다!


Posted by 삼성전자 소통블로그

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